薄膜沉积技术、制程及设备专题论坛在无锡成功举办

中微公司金属沉积产品部总经理许灿在《先进逻辑与存储器件半导体装备应用与挑战》报告中指出，先进逻辑与存储器件正朝着“越做越小”和“越堆越高”两个方向发展，高深宽比结构对金属薄膜沉积提出严峻挑战，并介绍了公司在ALD金属沉积及低损伤PECVD等方面的最新产品。

北方华创MDP事业单元CTO张钦彤分享了《集成电路制造中金属化工艺装备的应用与挑战》报告，回顾了金属化工艺装备发展历程，提出PVD与ALD各有所长、需协同发展，并分享了公司在深孔TSV填充及多腔式工艺集成方面的进展。

拓荆科技副总裁刘武平作了《超保形性介电材料原子层沉积工艺 - 助力国产三维芯片技术开发和应用》的报告分享，聚焦超保形性介电薄膜原子层沉积技术，介绍了基于抑制剂实现高深宽比结构由下而上无孔洞填充的方案。

思锐智能CTO张丛带来了《面向晶圆制造的前道关键装备：从原子层沉积到离子注入的协同创新》的演讲报告，分享了空间型原子层沉积在先进存储领域的应用，以及离子注入在薄膜制备与改性中的协同创新。

晶合集成资深处长吴启明作了《算力换产能—AI驱动半导体设备与制造的效能革命》报告，分享AI在半导体制造中的应用案例，涵盖SPC优化、FDC控制、机台匹配及产能提升等方面。

微导纳米专家工程师符腾飞带来了《High-k材料在逻辑器件的应用》报告，深入解析了高K材料（氧化铪）在逻辑器件中的应用，涵盖偶极子功函数调控及可靠性改善等关键技术。

积塔半导体总经理助理张汀带来了《半导体薄膜设备国产化新进展》报告，从用户角度剖析了薄膜设备国产化面临的六大挑战，呼吁加强产业链协同与售后维护能力建设。

合肥致真精密董事长程厚义作了《集成电路物理气相沉积设备研发与产业化》的报告，介绍了公司在磁存储、磁传感等特色工艺PVD设备领域的研发与产业化成果。

盛美上海工艺副总裁金一诺带来《面向亚3纳米节点的集成电路原子级制造技术矩阵》的报告分析，提出“原子级制造技术矩阵”概念，强调亚3纳米节点需多工艺协同，涵盖原子级沉积、刻蚀及新金属材料应用。

演讲报告环节后，来自北方华创、晶合集成、江丰电子、安德科铭半导体、埃克斯控股的嘉宾围绕PVD与ALD技术协同、新材料引入及AI赋能等话题展开了圆桌对话。

圆桌嘉宾有：宁波江丰电子材料股份有限公司半导体事业部总经理蒋剑勇、埃克斯控股（北京）有限公司董事长李杰、安徽安德科铭半导体科技股份有限公司董事长/总经理汪穹宇、北京北方华创微电子装备有限公司MDP事业单元总经理邓斌、合肥晶合集成电路股份有限公司资深处长吴启明。