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四川金中德科学技术研究院:二维半导体材料的单片三维集成 | Nature Materials

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  • 发布时间: 2024-03-20

三维3D异质集成技术,通过垂直堆叠功能层,从而创造出具有高集成密度和无与伦比多功能的新型3D电路结构,进而使电子领域发生革命性的变化。然而,传统3D集成技术,涉及复杂晶片处理和繁琐的层间布线。
近日,美国 麻省理工学院(Massachusetts Institute of Technology)Ji-Hoon Kang, Ki Seok Kim, Min-Kyu Song,Jeehwan Kim等,韩国延世大学(Yonsei University)Heechang Shin, Jong-Hyun Ahn,等,圣路易斯华盛顿大学(Washington University in St. Louis)Sang-Hoon Bae等,在Nature Materials上发文,报道了二维材料基人工智能 (AI) 工艺硬件的整体3D集成,具有最终的可集成性和多功能性。

通过剥离和堆叠AI工艺层,主要由自下而上合成的二维材料制成,将总共六层晶体管和忆阻器阵列垂直集成到3D纳米系统中,以执行AI任务。因其密集AI处理层和层间连接,这种完全单片3D集成的AI系统,大大减少了工艺时间、电压降、延迟和占用空间。

这种单片3D集成人工智能系统的成功演示,不仅将为电子设备的异质集成提供材料级解决方案,还将为前所未有的具有终极并行性多功能计算硬件铺平道路。

二维半导体01


图1: 二维2D材料忆阻器和晶体管的单片三维Monolithic three-dimensional ,M3D集成。

二维半导体02


图2:基于AI工艺,单片三维M3D集成二维2D材料基1晶体管-1忆阻器阵列。

二维半导体03四川金中德科学技术研究院


图3: 单片三维M3D集成二维2D材料器件的剥离和堆叠。

二维半导体04四川金中德科学技术研究院


图4: 基于单片三维M3D集成二维2D材料的人工智能系统,DNA基序研发。

 

小编:四川金中德科学技术研究院

 来源:高功能薄膜

本文网址: https://www.jzdyjy.com/notice/320.html

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